critical dimension半導體
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VeritySEM 10 關鍵尺寸(CD) 量測
https://www.appliedmaterials.c
Applied VeritySEM® 10 CD-SEM 量測系統專門用來精確量測由極紫外光（EUV） 和新興高數值孔徑（High-NA） EUV微影技術所定義的半導體元件的關鍵尺寸（critical dimension） ...
半導體蝕刻製程參數調整最佳化–以P公司蝕刻製程為例
https://ndltd.ncl.edu.tw
在半導體晶圓製造過程中，製程需要三百多道手續，而在這些製程在蝕刻製程後都有一定的圖案的大小，稱為臨界尺寸(Critical Dimension，CD)。CD的大小及變異對於最終產品 ...
半導體＆ ETCH 知識，你能答對幾個？
http://ilms.ouk.edu.tw
何謂AEI CD? 答：蝕刻後特定圖形尺寸之大小,特徵尺寸(Critical Dimension). 何謂CD bias? 答：蝕刻CD 減蝕刻前黃光CD. 簡述何謂田口式實驗計劃法? 答 ...
台積電也得靠它，關鍵萊利公式扮演半導體製程微縮重要基礎
https://today.line.me
ASML 指出，萊利公式為CD=k1 x ( λ / NA)，描述了重要參數間的對應關係，CD（Critical Dimension）中文譯作關鍵尺寸或臨界尺寸，而k1 為變因，λ 則是曝光 ...
工學院碩士在職專班精密與自動化工程組碩士論文
https://ir.nctu.edu.tw
本論文主要目的為設計一套應用於深溝多晶遮罩開口製程(Deep Trench Poly Hard. Mask Open, DTPHMO)之關鍵尺寸(Critical Dimension, CD)的先進製程控制方法。首先利. 用 ...
技術與材料優化半導體製程超越物理線寬極限
https://www.digitimes.com.tw
... (Critical Dimension；CD)與整個晶圓其他製品材料處理的一致性表現要求，不僅製作難度大、技術也必須達到高標準要求。 儲存 列印 意見反應. 關鍵字. 半導體 ...
臨界尺寸量測方法最佳化之研究
https://ir.nctu.edu.tw
臨界尺寸(Critical Dimension, CD)量測的重要理由是為了確認晶圓製造. 故過程中，所有的線寬皆已精準控制。半導體製程中通常以掃瞄式電子顯. 微鏡(Scanning Electron ...
變型照明技術-
http://www.ctimes.com.tw
... CD(Critical Dimension)，CD越小當然代表製程的要求越嚴格。在以往的半導體微米或次微米世代中，一直都是線路圖形的CD比曝光機光源的波長λ還要大，也就是說，晶圓廠 ...
讓摩爾定律成真的關鍵： 微影技術— 影響七十億以上個未來
https://ee.ntu.edu.tw
R 代表光學微影的解析度極限，也就是至多可曝出多小的線寬，該線寬亦被稱為特徵或關鍵尺寸（fea- ture size or critical dimension）；λ 表示在真空中光的波長，而目前 ...
關鍵尺寸
https://baike.baidu.hk
關鍵尺寸(Critical Dimension，簡稱CD)是指在集成電路光掩模製造及光刻工藝中為評估及控制工藝的圖形處理精度，特設計一種反映集成電路特徵線條寬度的專用線條圖形。